淺談快速退火爐控溫

RTP的一個關鍵因素是溫度的測量和控制?？焖贌嵬嘶穑≧apid thermal processing，RTP）是將晶片快速加熱到設定溫度，進行短時間快速退火的方法，熱處理時間通常小于1~2分鐘。過去幾年間，RTP已逐漸成為先進半導體制造必不可少的一項工藝，用于氧化、退火、金屬硅化物的行程和快速熱化學沉積。

RTP系統采用輻射熱源對晶片進行一片一片的加熱，溫度測量和控制通過高溫計完成。
RTP可快速升至工藝要求的溫度，并快速冷卻，此外，RTP還可以出色地控制工藝氣體。因此，RTP可以在一個工藝程序中完成復雜的多階段熱處理工藝。RTP快速升溫、短時間快速處理的能力很重要，因為先進半導體制造要求盡可能縮短熱處理時間、限制雜質擴散程度。
RTP系統中，熱源直接面對晶片表面，而不是如批處理高溫爐那樣對硅片邊緣進行加熱。因此，RTP系統處理大直徑晶片時不會影響工藝處理的均勻性和升（降）溫速度。
然而，晶片表面的器件分布圖形（pattern）會給溫度帶來一些影響和限制。因此RTP系統加熱晶片時采用的是輻射性熱源，溫度會受到光學性質的影響。隨著器件尺寸的不斷微縮和對工藝處理均勻性的要求變得更加苛刻，如何優化加熱結構，減少“圖形效應”已成為一個重要的研究領域。目前解決“圖形效應”的辦法，包括減少晶片表面入射能量的雙面加熱方法，以及采用與晶片溫度接近的熱源對有圖形的一面進行照射的方法。