SiC碳化硅載盤

碳化硅載盤，碳化硅刻蝕盤，ICP刻蝕盤

LED刻蝕用碳化硅托盤（SIC托盤）φ600mm是深硅刻蝕（ICP刻蝕機）專用的配件

晶圓載盤，也有稱為晶圓承載盤、硅片承載盤,英文稱為Pocket Wafer。在半導體的CVD、真空濺射等方面具有廣泛應用。我們可以為客戶提供硅、碳化硅材料的定制晶圓載盤，以滿足客戶不同的應用需求。

可以提供帶真空孔的承載盤、各種異形內槽的承載盤等。

碳化硅陶瓷制品，采用高純超細碳化硅微粉，經2450℃高溫燒結而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度≥3.10g/cm3,不含金屬硅等金屬雜質。

?耐高溫--1800℃溫度下正常使用；

?高熱導性--和石墨材料的導熱性相當；

?硬度高--硬度僅次于金剛石、立方氮化硼；

?耐腐蝕--強酸、強堿對其無任何腐蝕，抗腐蝕性優于碳化鎢和氧化鋁；

?重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近，；

?不變形--極小的熱膨脹系數，

?抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化，抗熱沖擊，耐急冷急熱,性能穩定。

碳化硅載盤，碳化硅刻蝕盤，ICP刻蝕盤

LED刻蝕用碳化硅托盤（SIC托盤）φ600mm是深硅刻蝕（ICP刻蝕機）專用的配件

晶圓載盤，也有稱為晶圓承載盤、硅片承載盤,英文稱為Pocket Wafer。在半導體的CVD、真空濺射等方面具有廣泛應用。我們可以為客戶提供硅、碳化硅材料的定制晶圓載盤，以滿足客戶不同的應用需求。

可以提供帶真空孔的承載盤、各種異形內槽的承載盤等。

碳化硅陶瓷制品，采用高純超細碳化硅微粉，經2450℃高溫燒結而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度≥3.10g/cm3,不含金屬硅等金屬雜質。

?耐高溫--1800℃溫度下正常使用；

?高熱導性--和石墨材料的導熱性相當；

?硬度高--硬度僅次于金剛石、立方氮化硼；

?耐腐蝕--強酸、強堿對其無任何腐蝕，抗腐蝕性優于碳化鎢和氧化鋁；

?重量輕--密度3.10g/cm3,與鋁接近，；

?不變形--極小的熱膨脹系數，

?抗熱震--該材料可承受急劇的溫度變化，抗熱沖擊，耐急冷急熱,性能穩定。